Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: mSATA; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: MLC
Компания производитель: Netac
Объем: 0.12 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: SATA 3.0 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с Скорость последовательной записи: 330 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 42 000 IOps
Компания производитель: AMD
Объем: 0.24 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: SATA 3.0 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с Скорость последовательной записи: 450 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 76 900 IOps
Компания производитель: AMD
Объем: 0.48 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 2100 Мб/с Скорость последовательной записи: 1600 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 249 100 IOps
Компания производитель: AMD
Объем: 0.24; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 2100; Скорость последовательной записи: 1000; Средняя скорость случайного чтения: 200 250 IOps; Средняя скорость случайной записи: 206 100 IOps; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Дата выхода на рынок: 2018; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: AMD
Объем: 4; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 600 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 850 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.1; Энергопотребление (ожидание): 0.05; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.15; Контроллер: Phison PS5021-E21T; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 900 TBW
Компания производитель: MSI
Объем: 6.4; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 4 (24G); Тип микросхем Flash: TLC; Средняя скорость случайного чтения: 720 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 355 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5; Время наработки на отказ (МТBF): 2500000; Толщина: 15
Компания производитель: Kioxia
Объем: 1.92; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 94 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 78 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 3.6; Энергопотребление (ожидание): 1.3; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7; Ресурс записи: 3504 TBW
Компания производитель: Kingston
Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 000 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 10.5; Энергопотребление (ожидание): 0.05; Время наработки на отказ (МТBF): 1000000; Толщина: 2.15; Контроллер: Phison E18; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1400 TBW
Компания производитель: MSI
Объем: 0.48; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Средняя скорость случайного чтения: 55 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 2; Энергопотребление (ожидание): 0.03; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7; Контроллер: Phison S11; Ресурс записи: 250 TBW
Компания производитель: MSI
Объем: 0.24; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Скорость последовательного чтения: 500; Скорость последовательной записи: 400; Средняя скорость случайного чтения: 50 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 1.7; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7; Контроллер: Phison PS3111-S11; Ресурс записи: 110 TBW
Компания производитель: MSI
Объем: 0.12 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 2.8 мм
Компания производитель: AMD
Объем: 0.48 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 2.8 мм
Компания производитель: AMD
Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Толщина: 2.8; Размеры М.2: 2280
Компания производитель: AMD
