Форм-фактор: 2.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000 Гб; Скорость вращения: 7200 rpm; Интерфейс SAS: SAS 3.0
Компания производитель: HP
Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 6100; Скорость последовательной записи: 4000; Время наработки на отказ (МТBF): 1800000; Толщина: 3.8; Контроллер: MaxioTech MAP1602A; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 400 TBW
Компания производитель: Patriot
Время наработки на отказ: 1000000 ч; Высота: 26.1 мм; Уровень шума простоя: 25 Дб; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.5 Вт; Потребляемая мощность: 6.2 Вт
Компания производитель: Western Digital
Форм-фактор: 2.5"; Тип: HDD; Емкость: 1200 Гб; Скорость вращения: 10000 rpm; Интерфейс SAS: SAS 3.0
Компания производитель: HP
Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3); Энергопотребление (чтение/запись): 2.3; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.3; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 480 TBW
Компания производитель: Gigabyte
Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 700 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 2.3; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 640 TBW
Компания производитель: Netac
Объем: 1.92; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 6800; Скорость последовательной записи: 4000; Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 180 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 8.2; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Дата выхода на рынок: 2020; Размеры М.2: 22110
Компания производитель: Samsung
